L’Università di Milano-Bicocca conferisce la laurea honoris causa a Hiroshi Amano, il Nobel che ha inventato il Led.

Il 7 aprile 2025, l’Università di Milano-Bicocca conferirà la laurea honoris causa in Scienze e Nanotecnologie per la Sostenibilità al professor Hiroshi Amano, insignito nel 2014 del premio Nobel per la Fisica per l’invenzione dei LED a luce blu. Una scoperta, ottenuta grazie alle ricerche pionieristiche condivise coi professori Isamu Akasaki e Shuji Nakamura, che ha rivoluzionato il settore dell’illuminazione con soluzioni ad alta efficienza energetica.

Questi scienziati hanno sviluppato i primi LED  a luce blu ad alta efficienza negli anni ’90, utilizzando nitruro di gallio (GaN) come materiale semiconduttore. La loro scoperta ha aperto la strada alla produzione di luce bianca dai LED, combinando i colori rosso ( RED), verde (GREEN), blu (BLUE) e trasparente (TRASPARENT), quindi abbiamo RGBT .

In pratica, i LED RGBT sono simili ai LED RGB (che usano i tre colori primari della luce, ovvero rosso, verde e blu), ma con l’aggiunta di un quarto canale che permette di creare effetti di trasparenza o migliorare la resa della luce. Il canale “T” (trasparente) viene utilizzato per gestire l’intensità della luce o per permettere una maggiore gamma di colori, inclusi effetti speciali o sfumature più precise.

La cerimonia si terrà in Aula Magna e includerà la lectio magistralis del professor Amano dal titolo IL RUOLO DEI NUOVI MATERIALI SEMICONDUTTORI NELLA REALIZZAZIONE DI UNA SOCIETÀ SMART E A ZERO EMISSIONI DI CARBONIO.

Scienziato di fama internazionale, Amano è professore all’Università di Nagoya in Giappone e direttore del Center for Integrated Research of Future Electronics. Il suo lavoro si concentra oggi sullo sviluppo di tecnologie per la fabbricazione di semiconduttori di potenza ad alta efficienza e nuovi dispositivi per ridurre il consumo globale di energia e facilitare la transizione verso reti elettriche basate su fonti rinnovabili.

La lectio sottolinea la necessità di ricerca e sviluppo sui semiconduttori a gap largo (WBG) e ultra-largo (UWBG), in particolare i semiconduttori a base di nitruro di gallio (GaN), nitruro di alluminio (AlN) e le loro leghe. Sebbene il contributo del GaN e dei materiali correlati nell’illuminazione a LED sia significativo in termini di risparmio energetico, l’applicazione di questi materiali non si limita all’illuminazione: sostituire i dispositivi di potenza basati sul silicio (Si) con quelli basati sul GaN può ridurre il consumo totale di elettricità del 25%.
I dispositivi di potenza ad alta tensione basati sul GaN dovrebbero diventare i dispositivi chiave per la creazione di reti elettriche basate sulle energie rinnovabili, grazie alla loro alta efficienza, alta velocità di commutazione e alle proprietà ad alta tensione. I transistor ad alta frequenza e ad alta potenza basati sul GaN forniranno una soluzione unica per realizzare sistemi di comunicazione wireless a onde millimetriche e persino submillimetriche nel Terahertz (THz).
La lectio si concentra sui recenti sviluppi e sulle prospettive dei semiconduttori a base di azoto e dei loro dispositivi.

L’evento rientra nel ciclo di seminari Breakthroughs in Materials Science, organizzato dal Dipartimento di Scienza dei Materiali dell’ateneo, che ospita interventi di scienziati di fama internazionale, i cui studi hanno promosso una profonda evoluzione nel campo della Scienza dei Materiali.